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Das Produkt ist neu und funktioniert einwandfrei. Die Produktbilder sind Amateuraufnahmen des tatsächlichen Artikels. Wir bieten An- und Verkauf, Vermietung sowie technischen Service für Prüf- und Messgeräte an.
• Transistortyp: NPN-Silizium-RF-Breitbandtransistor
• Frequenzbereich: 40 MHz – 860 MHz
• Transitfrequenz (fT): 1.2 GHz
• Kollektor-Emitter-Spannung (VCEO): 25 V
• Kollektor-Basis-Spannung (VCBO): 40 V
• Maximaler Kollektorstrom: 150 mA
• Maximaler Spitzen-Kollektorstrom: 300 mA
• Maximale Verlustleistung: 1.5 W
• Verstärkung: ungefähr 16 dB @ 200 MHz
• Rauschzahl: 6 dB @ 200 MHz
• Aufbau: Planar-epitaktisches NPN-Silizium
• Multi-Emitter-Technologie
• Hohe Intermodulationsleistung
• Für CATV- und MATV-Breitbandverstärker ausgelegt
• Für Kanal- und Band-Reihenverstärker geeignet
• Einsatz in VHF- und UHF-RF-Verstärkern
• Einsatz in vertikalen Verstärkerstufen schneller Oszilloskope
• TO-39-Metallgehäuse (Metal Can Package)
• Geeignet für Rundfunk- und RF-Kommunikationssysteme