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Das Produkt ist neu und funktioniert einwandfrei. Die Produktbilder sind Amateuraufnahmen des tatsächlichen Artikels. Wir bieten An- und Verkauf, Vermietung sowie technischen Service für Prüf- und Messgeräte an.
Modell: BLF278
Hersteller: NXP Semiconductors
Typ: RF-Leistungs-MOSFET
Technologie: N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET
Anwendung: FM-Rundfunk / VHF-RF-Leistungsverstärker
Betriebsfrequenz: 1.6 – 108 MHz
Ausgangsleistung: 300 W
Versorgungsspannung: 50 V
Verstärkung (Gain): ca. 23 dB
Wirkungsgrad: bis zu 70 %
Drain-Source-Spannung (VDSS): 125 V
Drainstrom (ID): 18 A
Verlustleistung: 625 W
Gehäusetyp: SOT121B-Flanschgehäuse
Pin-Aufbau: RF-Leistungsgehäuse mit 3 Pins
Merkmal: Integrierter ESD-Schutz
Merkmal: Hohe Robustheit gegen Lastfehlanpassung
Merkmal: Geringe Eingangskapazität
Merkmal: Für Rundfunksender optimierter Aufbau
Anwendungen: FM-Sender, RF-Leistungsstufen und lineare VHF-Verstärker
