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Das Produkt ist neu und funktioniert einwandfrei. Die Produktbilder sind Amateuraufnahmen des tatsächlichen Artikels. Wir bieten An- und Verkauf, Vermietung sowie technischen Service für Prüf- und Messgeräte an.
• Technologie: Goldmetallisierter Silizium-DMOS-RF-FET
• Betriebsfrequenz: 1 – 500 MHz
• Testfrequenz: 500 MHz
• Versorgungsspannung: 28 V
• RF-Ausgangsleistung: 100 W
• Leistungsverstärkung (Gain): mindestens 10 dB
• Wirkungsgrad: mindestens 50 %
• FET-Aufbau: Push-Pull-RF-MOSFET
• BV(DSS): 70 V
• Gehäusetyp: Ceramic Flanged Package
• Betriebsart: Breitband-RF-Leistungsverstärkeranwendungen
• Geringe Crss-Kapazität
• Hohe RF-Leistung
• Geeignet für Rundfunk- und Telekommunikationsanwendungen
