2N6080 射频晶体管

• 晶体管类型：NPN 硅材料射频功率晶体管
• 射频工作频率范围：130 MHz – 230 MHz
• 额定射频输出功率：4 W
• 额定供电电压：12.5 V
• 功率增益特性：高功率增益
• 射频工作类别：FM Class C
• 晶体管结构：共发射极结构
• 技术：外延硅 NPN 平面结构
• 允许的最大集电极电流：1 A
• 允许的最大功率耗散：12 W
• 过渡频率 (fT)：175 MHz
• 专为 VHF 移动和海事发射机设计
• 支持高效率射频运行
• 适合严苛工作条件的坚固结构
• 发射极镇流电阻技术
• 适用于射频功率放大器电路
• 用于 VHF 甚高频通信系统
• 适用于移动无线电和海事发射机应用