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• 晶体管类型:NPN 硅材料射频功率晶体管
• 射频工作频率范围:130 MHz – 230 MHz
• 额定射频输出功率:4 W
• 额定供电电压:12.5 V
• 功率增益特性:高功率增益
• 射频工作类别:FM Class C
• 晶体管结构:共发射极结构
• 技术:外延硅 NPN 平面结构
• 允许的最大集电极电流:1 A
• 允许的最大功率耗散:12 W
• 过渡频率 (fT):175 MHz
• 专为 VHF 移动和海事发射机设计
• 支持高效率射频运行
• 适合严苛工作条件的坚固结构
• 发射极镇流电阻技术
• 适用于射频功率放大器电路
• 用于 VHF 甚高频通信系统
• 适用于移动无线电和海事发射机应用