Bfq34 Rf Transistör

Transistör Tipi: NPN Silicon Wideband RF Transistor
• Frekans Aralığı: DC – 4 GHz
• Geçiş Frekansı (fT): 4 GHz
• Kolektör-Emetör Voltajı (VCEO): 18 V
• Kolektör-Baz Voltajı (VCBO): 25 V
• Maksimum Kolektör Akımı: 150 mA
• Maksimum Güç Dağılımı: 2.7 W
• Kazanç (hFE): 25 – 70
• Yapı: Silicon Planar Epitaxial NPN
• Yüksek çıkış voltaj kapasitesi
• Diffused emitter-ballasting resistor teknolojisi
• Gold sandwich metallization yapısı
• Yüksek güvenilirlik ve termal kararlılık
• MATV sistem yükselteçleri için tasarlanmıştır
• Driver ve final RF yükselteç katlarında kullanım
• Band IV ve Band V TV ekipmanlarına uygun
• Düşük güçlü UHF yayın uygulamalarında kullanım
• 75 Ohm geniş bant RF sistemlerine uygun
• TO-122A / SOT122A seramik kapaklı metal paket yapı
• Broadcast ve RF haberleşme sistemlerinde kullanım için uygundur