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型号:BLF278
制造商:NXP Semiconductors
类型:射频功率 MOSFET
技术:N 沟道增强型 MOSFET
应用:FM 广播 / VHF 射频功率放大器
工作频率范围:1.6 – 108 MHz
输出功率:300 W
供电电压:50 V
增益 (Gain):约 23 dB
工作效率:最高可达 70%
漏极-源极电压 (VDSS):125 V
漏极电流 (ID):18 A
功率耗散:625 W
封装类型:SOT121B 法兰封装
引脚结构:3 引脚射频功率封装
特点:内置 ESD 静电放电保护
特点:具有较高的负载失配耐受能力
特点:低输入电容结构
特点:针对广播发射机进行优化
应用领域:FM 广播发射机、射频功率级和 VHF 线性放大器