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型号：BLF278
制造商：NXP Semiconductors
类型：射频功率 MOSFET
技术：N 沟道增强型 MOSFET
应用：FM 广播 / VHF 射频功率放大器
工作频率范围：1.6 – 108 MHz
输出功率：300 W
供电电压：50 V
增益 (Gain)：约 23 dB
工作效率：最高可达 70%
漏极-源极电压 (VDSS)：125 V
漏极电流 (ID)：18 A
功率耗散：625 W
封装类型：SOT121B 法兰封装
引脚结构：3 引脚射频功率封装
特点：内置 ESD 静电放电保护
特点：具有较高的负载失配耐受能力
特点：低输入电容结构
特点：针对广播发射机进行优化
应用领域：FM 广播发射机、射频功率级和 VHF 线性放大器
