D2012UK 射频功率晶体管

• 技术：镀金硅 DMOS 射频 FET
• 工作频率：1 – 500 MHz
• 测试频率：500 MHz
• 供电电压：28 V
• 射频输出功率：100 W
• 功率增益 (Gain)：最低 10 dB
• 效率：最低 50%
• FET 结构：推挽式射频 MOSFET
• BV(DSS)：70 V
• 封装类型：陶瓷法兰封装
• 工作类型：宽带射频功率放大器应用
• 低 Crss 电容
• 高射频性能
• 适用于广播和电信应用