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型号:MRF141G
类型:N 沟道宽带射频功率 MOSFET
应用:射频功率放大器 / FM 广播发射机 / 电视发射机
工作频率:175 MHz
输出功率:300 W
供电电压:28 V
增益 (Gain):12 dB(典型值 14 dB)
效率:50%
漏源电压 (VDSS):65 V
漏极电流 (ID):32 A
栅源电压 (VGS):±40 V
功率耗散:500 W
热阻:0.35 °C/W
输入电容 (Ciss):350 pF
输出电容 (Coss):420 pF
反向传输电容 (Crss):35 pF
封装类型:CASE 375-04 / TO-270AA
结构:Dual Common Source MOSFET
最高工作温度:200°C
驻波比耐受能力:可承受 5:1 负载失配
特点:适用于高功率宽带射频应用