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型号：MRF141G
类型：N 沟道宽带射频功率 MOSFET
应用：射频功率放大器 / FM 广播发射机 / 电视发射机
工作频率：175 MHz
输出功率：300 W
供电电压：28 V
增益 (Gain)：12 dB（典型值 14 dB）
效率：50%
漏源电压 (VDSS)：65 V
漏极电流 (ID)：32 A
栅源电压 (VGS)：±40 V
功率耗散：500 W
热阻：0.35 °C/W
输入电容 (Ciss)：350 pF
输出电容 (Coss)：420 pF
反向传输电容 (Crss)：35 pF
封装类型：CASE 375-04 / TO-270AA
结构：Dual Common Source MOSFET
最高工作温度：200°C
驻波比耐受能力：可承受 5:1 负载失配
特点：适用于高功率宽带射频应用
