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• 产品类型:射频功率 MOSFET 晶体管
• 技术:N 沟道增强型 MOSFET
• 工作频率:HF / VHF 波段
• 频率范围:1.8 – 150 MHz
• 供电电压:50 V
• 射频输出功率:150 W
• 功率增益 (Gain):约 13 dB
• 效率:约 55%
• 工作模式:CW、SSB、FM、AM
• 封装类型:法兰陶瓷封装
• 阻抗:针对 50 Ohm 应用优化
• 低失真结构
• 高耐热性能
• 适用于宽带射频放大器应用
• 广泛用于广播和业余无线电系统
• 适用于 HF 功率放大器