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• Tipo de transistor: Transistor de potencia de RF de silicio NPN
• Rango de frecuencia: 130 MHz – 230 MHz
• Potencia de salida: 4 W
• Tensión de alimentación: 12,5 V
• Ganancia: Ganancia de alta potencia
• Clase de operación: Clase C de FM
• Configuración: Emitente común
• Tecnología: Silicio epitaxial NPN plano
• Corriente máxima de colector: 1 A
• Disipación máxima de potencia: 12 W
• Frecuencia de transición (fT): 175 MHz
• Diseñado para transmisores móviles y marinos de VHF
• Operación de alta eficiencia
• Estructura robusta adecuada para condiciones de funcionamiento difíciles
• Tecnología de resistencia de balasto del emisor
• Adecuado para amplificadores de potencia de RF
• Utilizado en sistemas de comunicación VHF
• Adecuado para aplicaciones de transmisores móviles y marinos
