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Tipo de transistor: NPN de silicio de banda ancha RF
• Rango de frecuencias: DC – 4 GHz
• Frecuencia de transición (fT): 4 GHz
• Tensión de colector-emisor (VCEO): 18 V
• Tensión de colector-base (VCBO): 25 V
• Corriente máxima de colector: 150 mA
• Disipación máxima de potencia: 2,7 W
• Ganancia (hFE): 25 – 70
• Estructura: NPN epitaxial plana de silicio
• Alta capacidad de tensión de salida
• Tecnología de resistencia de balasto de emisor difundido
• Estructura de metalización de sándwich de oro
• Alta fiabilidad y estabilidad térmica
• Diseñado para amplificadores de sistemas MATV
• Utilizado en etapas de driver y amplificador de RF final
• Adecuado para equipos de televisión de banda IV y banda V
• Utilizado en aplicaciones de transmisión UHF de baja potencia
• Adecuado para sistemas de RF de banda ancha de 75 Ohmios
• Estructura de paquete metálico sellado en cerámica TO-122A/SOT122A
• Adecuado para su uso en sistemas de comunicación y transmisión de radiofrecuencia
