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• Tipo de transistor: NPN Silicon RF Broadband Transistor
• Rango de frecuencias: 40 MHz – 860 MHz
• Frecuencia de transición (fT): 1,2 GHz
• Tensión de colector-emisor (VCEO): 25 V
• Tensión de colector-base (VCBO): 40 V
• Corriente máxima de colector: 150 mA
• Corriente máxima de pico de colector: 300 mA
• Disipación máxima de potencia: 1,5 W
• Ganancia: aproximadamente 16 dB a 200 MHz
• Factor de ruido: 6 dB a 200 MHz
• Estructura: Silicon Planar Epitaxial NPN
• Tecnología de múltiples emisores
• Alto rendimiento de intermodulación
• Diseñado para amplificadores de banda ancha de CATV y MATV
• Adecuado para aplicaciones de amplificadores de canal y banda
• Utilizado en amplificadores de RF de VHF y UHF
• Utilizado en etapas de amplificador vertical de osciloscopio de alta velocidad
• Paquete de metal TO-39 (paquete de latón)
• Adecuado para su uso en sistemas de comunicación de radio y televisión
