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• Fabricante: Toshiba
• Tipo de producto: Transistor de potencia de RF NPN
• Tecnología: Transistor bipolar de silicio de RF
• Frecuencia de funcionamiento: Banda VHF
• Rango de frecuencias: hasta 175 MHz
• Tensión de alimentación: 12,5 V
• Potencia de salida de RF: 30 W
• Ganancia: aproximadamente 8 – 10 dB
• Modo de funcionamiento: Amplificador de RF de clase C
• Tipo de paquete: Paquete metálico-cerámico con bisagra
• Estructura de baja distorsión
• Alta resistencia de RF
• Adecuado para sistemas de radiodifusión y comunicación
• Comúnmente utilizado en aplicaciones de transmisores FM
• Diseño optimizado para amplificadores de potencia de RF de banda VHF
• Adecuado para aplicaciones de amplificadores de RF de alta eficiencia
