Blf278 RF Transistor

Model: BLF278

Fabricante: NXP Semiconductores

Tipo: MOSFET de potencia de RF

Tecnología: MOSFET de modo de mejora de canal N

Área de aplicación: Amplificador de potencia de RF de transmisión de FM / VHF

Frecuencia de funcionamiento: 1,6 – 108 MHz

Potencia de salida: 300 W

Tensión de suministro: 50 V

Ganancia: Aproximadamente 23 dB

Eficiencia: Hasta el 70%

Tensión de drenaje-fuente (VDSS): 125 V

Corriente de drenaje (I): 18 A

Disipación de potencia: 625 W

Tipo de paquete: Paquete de flanqueo SOT121B

Estructura de pines: Paquete de potencia de RF de 3 pines

Función: Protección ESD interna

Función: Alta robustez (tolerancia a la falta de coincidencia de carga)

Función: Baja capacidad de entrada

Función: Estructura optimizada para transmisores de transmisión de FM

Área de aplicación: Transmisores de transmisión de FM, etapas de potencia de RF, amplificadores lineales VHF