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• Transistor de potencia de RF de silicio NPN
• Rango de frecuencia: 1,6 MHz – 108 MHz
• Potencia de salida: 100 W
• Tensión de alimentación: 28 V
• Ganancia: aproximadamente 19 dB
• Eficiencia: aproximadamente 60%
• Tipo de paquete: paquete de bisagra cerámica
• Operación de clase AB / clase B
• Baja distorsión
• Alta resistencia a la relación de transmisión
• Adecuado para aplicaciones de amplificador de potencia de RF
• Adecuado para transmisores de radiodifusión FM
• Adecuado para su uso en sistemas de comunicación móviles y militares
