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• Transistor de potencia RF
• Rango de frecuencia: DC – 400 MHz
• Potencia de salida: 80 W
• Tensión de alimentación: 28 V
• Adecuado para aplicaciones de amplificador de potencia RF
• Uso de amplificador de alta potencia VHF/UHF
• Estructura de paquete de bisagra
• Utilizado en sistemas de radiodifusión y comunicación
• Aplicaciones sólidas de potencia RF industriales
• Operación con baja distorsión
• Diseño de alta eficiencia para RF
