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• Tecnología: DMOS RF FET de silicio metalizado con oro
• Frecuencia de funcionamiento: 1 – 500 MHz
• Frecuencia de prueba: 500 MHz
• Tensión de alimentación: 28 V
• Potencia de salida RF: 100 W
• Ganancia: Mínima 10 dB
• Eficiencia: Mínima 50%
• Estructura del FET: MOSFET RF Push-Pull
• BV(DSS): 70 V
• Tipo de paquete: Paquete con bisagra cerámica
• Tipo de funcionamiento: Aplicaciones de amplificador de potencia de banda ancha RF
• Baja capacidad de cruce
• Alto rendimiento RF
• Adecuado para aplicaciones de radiodifusión y telecomunicaciones
