Blf177 Rf Transistör

• Ürün Tipi: HF/VHF RF Power MOSFET
• Teknoloji: Silicon N-Channel Enhancement Mode DMOS
• Çalışma Frekansı: HF / VHF Bant
• Frekans Aralığı: 1 – 175 MHz
• Besleme Voltajı: 50 V
• RF Çıkış Gücü: 150 W
• Güç Kazancı (Gain):
• 30 MHz’de yaklaşık 22 dB
• 175 MHz’de yaklaşık 14 dB
• Verimlilik: Yaklaşık %70 (@108 MHz Class-B)
• Maksimum Drain Akımı: 16 A
• Maksimum Güç Dissipasyonu: 300 W
• Drain-Source Breakdown Voltajı: 125 V
• Düşük intermodülasyon distorsiyonu
• Yüksek termal stabilite
• Full load mismatch dayanımı
• Push-pull RF amplifier uygulamalarına uygun
• Paket Tipi: Flanged Ceramic RF Package
• Broadcast FM transmitter uygulamalarında yaygın kullanım
• HF/VHF güç yükselteç sistemleri için optimize edilmiş yapı