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• Tipo de producto: MOSFET de potencia de RF de banda HF/VHF
• Tecnología: DMOS de canal N de silicio en modo de mejora
• Frecuencia de funcionamiento: Banda HF/VHF
• Rango de frecuencias: 1 – 175 MHz
• Tensión de alimentación: 50 V
• Potencia de salida de RF: 150 W
• Ganancia:
• Aproximadamente 22 dB a 30 MHz
• Aproximadamente 14 dB a 175 MHz
• Eficiencia: Aproximadamente 70% (clase B a 108 MHz)
• Corriente de drenaje máxima: 16 A
• Disipación máxima de potencia: 300 W
• Tensión de ruptura entre drenaje y fuente: 125 V
• Baja distorsión de intermodulación
• Alta estabilidad térmica
• Durabilidad frente a diferencias de carga en funcionamiento
• Adecuado para aplicaciones de amplificador de RF de tipo push-pull
• Tipo de paquete: Paquete cerámico con bisagra para RF
• Comúnmente utilizado en aplicaciones de transmisores FM de difusión
• Diseño optimizado para sistemas de amplificador de potencia de banda HF/VHF
